تعیین گاف نوری و حالتهای دنباله ای شیشه teo2-v2o5-nio
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک
- author علی صالحی زاده
- adviser داریوش سوری
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1386
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
مطالعه گاف نواری و حالتهای دنباله ای در شیشه های sb-v2o5-teo2
ترکیبات سه تایی شیشه هایxsb- (60-x)v2o5-40teo2با0?x?15 (درصد مولی) با استفاده از روش سرمایش سریع مذاب تهیه شدند. طیف جذب نوری این شیشه ها در ناحیه طول موجی 1100-190 ثبت شدند. مکان لبه جذب و بنابراین مقادیر گاف نواری بدست آمد که مرتبط با ساختار شیشه ها است. برای این شیشه ها مقادیر گاف نواری در بازه 14/2-57/1 (ev) بدست آمد. روش انطباق طیف جذبی(asf) برای بدست آوردن گاف ها بکار گرفته شد. در این روش...
15 صفحه اولمطالعه جذب نوری و گاف نوری شیشه های teo2-v2o5-ag2o
بررسی طیف جذبی و گاف نوری در ترکیب مرد نظر و اثبات آمورف بودن ترکیب
Reversible and irreversible electrical switching in TeO2-V2O5 based glasses
The switching phenomenon observed in electronically conductive glasses corresponds to a sudden decrease in electrical resistance of the sample when a large electric field is applied. A simple electrothermal model is developed which takes into account only a Joule effect overheating of the material. In a temperature range below the glass transition temperature, Tg, the switching is reversible. O...
full textبررسی خواص مکانیکی و ساختاری شیشه های teo2-v2o5-sb2o3
شیشه های سه تایی تلوریمی 40teo2-(60-x)v2o5-xsb2o3 با درصدهای مولی متفاوت با روش سرمایش سریع مذاب ساخته شدند. این شیشه ها نسبت به برخی ویژگی های مکانیکی مورد مطالعه قرار گرفتند و اطلاعات بدست آمده برای رسیدن به خصوصیات کمی ساختار شیشه مورد استفاده قرار گرفت. آزمون سختی ویکرز با اعمال بارهای متفاوت برای محاسبه ی سختی ویکرز (hv) استفاده شد. علاوه بر این نظریه ی ماکیشیما-مکنزی برای محاسبه ی ضریب پو...
رسانش الکتریکی dc شیشه های sb-v2o5-teo2
در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نم...
My Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023